北海道大学工学部精密工学科物理工学講座
42504 コレクションおよび/またはレコード 表示:
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45148. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45149. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45150. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, ED, 55cm., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED. (条件・倍率等)55cm.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45151. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45152. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45153. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45154. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45155. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45156. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45157. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45158. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45159. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45160. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45161. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, BF., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF.
(備考)下記3枚 dislocation from boundary.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45162. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, BF., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45163. Ni-2Si, JMTR uncontrolled, 400℃, ED, 55cm., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED. (条件・倍率等)55cm.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45164. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45165. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45166. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45167. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45168. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45169. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45170. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45171. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45172. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, ED, 55cm., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED. (条件・倍率等)55cm.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45173. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45174. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45175. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, DF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45176. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45177. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45178. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45179. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45180. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45181. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
(備考)ボイドなし.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45182. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45183. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45184. Ni-2Si, JMTR controlled, 400℃, ED, 55cm., [1989年9月1日.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED. (条件・倍率等)55cm.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45185. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
(備考)試料名の記載なし.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45186. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45187. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45188. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45189. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45190. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K.
(備考)B=100付近.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45191. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45192. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45193. ?, JMTR controlled, 400℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45194. ?, JMTR controlled, 400℃, ED, 55cm., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED. (条件・倍率等)55cm.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45195. ?, JMTR controlled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45196. ?, JMTR controlled, 400℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45197. ?, JMTR controlled, 400℃, ED, 55cm., [1989年9月1日.]
(試料)?. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED. (条件・倍率等)55cm.
追加の絞り込み:
- 主題
- 北海道札幌市北区北14条西9丁目 42464
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs 42464
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs::Oシリーズ O series 24471
- アメリカ カリフォルニア州 リバモア 23320
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs::Lシリーズ L series 17993
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1987-1988 昭和62年度 10146
- ニッケル 7654
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1986-1987 昭和61年度 7249
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1988-1989 昭和63年度 5427
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1989-1990 平成元年度 5245
- 銅 4972
- 金 4713
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1990-1991 平成2年度 4293
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1985-1986 昭和60年度 3965
- 銅合金 2961
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1992-1993 平成4年度 2937
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1991-1992 平成3年度 2482
- ステンレス鋼 2416
- ニッケル合金 2218
- 鉄 1903
- 銀 1305
- 鉄合金 970
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1984-1985 昭和59年度 768
- バナジウム 313
- ムライト 246
- アメリカ ワシントン州 ハンフォード 242
- モリブデン 224
- アルミニウム 128
- ゲルマニウム 84
- 炭化珪素 53
- 資料利用例(論文等掲載元データ登録分) Micrographs published in papers (selelcted) 53
- ノート 40
- 材料試験 40
- 東北大学金属材料研究所附属材料試験炉利用施設 40
- 記録ノート Notebooks 40
- 電子顕微鏡 40
- 記録ノート Notebooks::Oシリーズ O series 24
- 記録ノート Notebooks::Lシリーズ L series 16