義家, 敏正, 1948-
63414 コレクションおよび/またはレコード 表示:
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45248. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45249. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, DF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45250. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, BF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45251. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, DF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45252. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, BF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)on G.B.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45253. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, BF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)on G.B.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45254. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, BF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)逆のG.B.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45255. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45256. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, DF, 200K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)200K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45257. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, DF, 200K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)200K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45258. Cu-2Ge, JMTR controlled, 200℃, ED., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Ge. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)ED.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45259. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45260. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45261. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45262. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45263. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)disl.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45264. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)disl.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45265. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)disl.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45266. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)on G.B.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45267. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)内部.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45268. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 10K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)10K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45269. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)50K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45270. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45271. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)50K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45272. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45273. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45274. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45275. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 200K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)200K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45276. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, ED., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)ED.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45277. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45278. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45279. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, BF, 20K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)20K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45280. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45281. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45282. Cu-2Si, JMTR controlled, 200℃, ED., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)ED.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45283. Ni, A902, RTNS-IIHin, 90℃, SS, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni. (EM/D3)D3. (試料番号)A902. (照射条件)RTNS-IIHin. (照射温度)90℃. (照射量)SS. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45284. Ni, A902, RTNS-IIHin, 90℃, SS, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni. (EM/D3)D3. (試料番号)A902. (照射条件)RTNS-IIHin. (照射温度)90℃. (照射量)SS. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45285. Ni, A902, RTNS-IIHin, 90℃, SS, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni. (EM/D3)D3. (試料番号)A902. (照射条件)RTNS-IIHin. (照射温度)90℃. (照射量)SS. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45286. Ni, A902, RTNS-IIHin, 90℃, SS, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni. (EM/D3)D3. (試料番号)A902. (照射条件)RTNS-IIHin. (照射温度)90℃. (照射量)SS. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45287. Ni, A902, RTNS-IIHin, 90℃, SS, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni. (EM/D3)D3. (試料番号)A902. (照射条件)RTNS-IIHin. (照射温度)90℃. (照射量)SS. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45288. Ni, A902, RTNS-IIHin, 90℃, SS, ED, 55cm., [1989年9月1日.]
(試料)Ni. (EM/D3)D3. (試料番号)A902. (照射条件)RTNS-IIHin. (照射温度)90℃. (照射量)SS. (Dark, Bright, ED)ED. (条件・倍率等)55cm.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45289. Ni, A902, RTNS-IIHin, 90℃, SS, DF, 100K., [1989年9月1日.]
(試料)Ni. (EM/D3)D3. (試料番号)A902. (照射条件)RTNS-IIHin. (照射温度)90℃. (照射量)SS. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K.
(備考)ゴミ多い。ボツ 再ケンマ要.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45290. Cu-2Sn, JMTR controlled, 200℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Sn. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45291. Cu-2Sn, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Sn. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45292. Cu-2Sn, JMTR controlled, 200℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Sn. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45293. Cu-2Sn, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Sn. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45294. Cu-2Sn, JMTR controlled, 200℃, DF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Sn. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s中.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45295. Cu-2Sn, JMTR controlled, 200℃, BF, 30K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Sn. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)30K. (ブラック条件からのずれs)s小.
(備考)内部.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45296. Cu-2Sn, JMTR controlled, 200℃, DF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Sn. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)50K.
[ネガフィルム, Lシリーズ] L-45297. Cu-2Sn, JMTR controlled, 200℃, BF, 50K., [1989年9月1日.]
(試料)Cu-2Sn. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)200℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)50K. (ブラック条件からのずれs)s小.
追加の絞り込み:
- 主題
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs 63352
- 北海道札幌市北区北14条西9丁目 42464
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs::Lシリーズ L series 38363
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs::Oシリーズ O series 24988
- アメリカ カリフォルニア州 リバモア 24066
- ニッケル 11193
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1987-1988 昭和62年度 10147
- 銅 7814
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1986-1987 昭和61年度 7250
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1994-1995 平成6年度 7081
- 金 6400
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1992-1993 平成4年度 5848
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1993-1994 平成5年度 5620
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1988-1989 昭和63年度 5428
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1989-1990 平成元年度 5246
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1990-1991 平成2年度 4294
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1985-1986 昭和60年度 3966
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1995-1996 平成7年度 3703
- 銅合金 2962
- 銀 2835
- ステンレス鋼 2785
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1991-1992 平成3年度 2483
- 鉄 2479
- ニッケル合金 2219
- バナジウム 1948
- 鉄合金 1400
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1996-1997 平成8年度 1174
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1984-1985 昭和59年度 769
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1997-1998 平成9年度 357
- ムライト 247
- アメリカ ワシントン州 ハンフォード 242
- モリブデン 225
- アルミニウム 129
- ゲルマニウム 85
- ノート 63
- 材料試験 63
- 記録ノート Notebooks 63
- 電子顕微鏡 63
- 東北大学金属材料研究所附属材料試験炉利用施設 62
- 資料利用例(論文等掲載元データ登録分) Micrographs published in papers (selelcted) 55
- 炭化珪素 54
- 記録ノート Notebooks::Lシリーズ L series 37
- 記録ノート Notebooks::Oシリーズ O series 25
- 珪素 6
- Collection 1
- アルミニウム合金 1
- 写真 1
- 原子炉材料 1
- 格子欠陥 1
- 結晶構造 1
- 金属材料 1
- 金属複合材料 1