共同研究実施年度 Year of joint research projects::1989-1990 平成元年度
5246 コレクションおよび/またはレコード 表示:
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58648. Ni-0.05Cu, N114, JMTR uncontrolled, 400℃, ED., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Cu. (試料番号)N114. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58649. Ni-0.05Cu, N114, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Cu. (試料番号)N114. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58650. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (EM/D3)EM. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)11K. (反射ベクトルg)200. (ブラック条件からのずれs)s=0.
(備考)X(100面).
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58651. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58652. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58653. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58654. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58655. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58656. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃, ED., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58657. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58658. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58659. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58660. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58661. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (反射ベクトルg)200.
(備考)(110)面.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58662. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (反射ベクトルg)111.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58663. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58664. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58665. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
(備考)dislありなし両者ともg=200でうつす.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58666. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58667. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58668. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58669. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58670. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58671. Ni-0.05Si, N174, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.05Si. (試料番号)N174. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58672. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (EM/D3)EM. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)11K. (反射ベクトルg)200. (ブラック条件からのずれs)s=0.
(備考)α .
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58673. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58674. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 31K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)31K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58675. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 31K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)31K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58676. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58677. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58678. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58679. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)100K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58680. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58681. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, ED., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58682. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)β.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58683. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)β.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58684. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 31K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)31K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
(備考)β.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58685. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)100K.
(備考)β.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58686. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (条件・倍率等)100K.
(備考)β.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58687. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, 100K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (条件・倍率等)100K.
(備考)β.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58688. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, ED., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)ED.
(備考)β.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58689. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K. (ブラック条件からのずれs)s>0.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58690. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58691. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 5.3K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)5.3K.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58692. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58693. Ni-0.3Si, N184, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Si. (試料番号)N184. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58694. Ni-0.3Ge, N214, JMTR uncontrolled, 400℃, DF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Ge. (EM/D3)EM. (試料番号)N214. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)DF. (条件・倍率等)11K. (反射ベクトルg)200. (ブラック条件からのずれs)s=0.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58695. Ni-0.3Ge, N214, JMTR uncontrolled, 400℃, BF, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Ge. (試料番号)N214. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (Dark, Bright, ED)BF. (条件・倍率等)11K.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58696. Ni-0.3Ge, N214, JMTR uncontrolled, 400℃, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Ge. (試料番号)N214. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (条件・倍率等)11K.
(備考)α.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-58697. Ni-0.3Ge, N214, JMTR uncontrolled, 400℃, 11K., [1989年8月30日.]
(試料)Ni-0.3Ge. (試料番号)N214. (照射条件)JMTR uncontrolled. (照射温度)400℃. (条件・倍率等)11K.
(備考)α.