京都大学複合原子力科学研究所照射材料工学研究分野
63414 コレクションおよび/またはレコード 表示:
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54299. Ni-2Ge, JMTR controlled, 290℃, 7., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54300. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4, 52K., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (条件・倍率等)52K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
(備考)JM(01) .
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54301. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4, 52K., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (条件・倍率等)52K. (ブラック条件からのずれs)s=0.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54302. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54303. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54304. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54305. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54306. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54307. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54308. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54309. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54310. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)他の視野(同じgrain).
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54311. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)反対のGB.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54312. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)反対のGB.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54313. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)反対のGB.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54314. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54315. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)GB.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54316. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54317. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54318. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54319. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54320. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54321. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54322. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54323. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4, BF., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)BF.
(備考)GB.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54324. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54325. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54326. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54327. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54328. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54329. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54330. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54331. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54332. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54333. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54334. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54335. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED. (反射ベクトルg)200.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54336. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54337. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54338. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54339. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54340. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED. (反射ベクトルg)220.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54341. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)他のGB.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54342. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54343. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)GB.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54344. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54345. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)GB.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54346. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54347. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)小傾角.
[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54348. Ni-2Si, JMTR controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]
(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.
(備考)小傾角.
追加の絞り込み:
- 主題
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs 63352
- 北海道札幌市北区北14条西9丁目 42464
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs::Lシリーズ L series 38363
- 電子顕微鏡写真 Electron micrographs::Oシリーズ O series 24988
- アメリカ カリフォルニア州 リバモア 24066
- ニッケル 11193
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1987-1988 昭和62年度 10147
- 銅 7814
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1986-1987 昭和61年度 7250
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1994-1995 平成6年度 7081
- 金 6400
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1992-1993 平成4年度 5848
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1993-1994 平成5年度 5620
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1988-1989 昭和63年度 5428
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1989-1990 平成元年度 5246
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1990-1991 平成2年度 4294
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1985-1986 昭和60年度 3966
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1995-1996 平成7年度 3703
- 銅合金 2962
- 銀 2835
- ステンレス鋼 2785
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1991-1992 平成3年度 2483
- 鉄 2479
- ニッケル合金 2219
- バナジウム 1948
- 鉄合金 1400
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1996-1997 平成8年度 1174
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1984-1985 昭和59年度 769
- 共同研究実施年度 Year of joint research projects::1997-1998 平成9年度 357
- ムライト 247
- アメリカ ワシントン州 ハンフォード 242
- モリブデン 225
- アルミニウム 129
- ゲルマニウム 85
- ノート 63
- 材料試験 63
- 記録ノート Notebooks 63
- 電子顕微鏡 63
- 東北大学金属材料研究所附属材料試験炉利用施設 62
- 資料利用例(論文等掲載元データ登録分) Micrographs published in papers (selelcted) 55
- 炭化珪素 54
- 記録ノート Notebooks::Lシリーズ L series 37
- 記録ノート Notebooks::Oシリーズ O series 25
- 珪素 6
- Collection 1
- アルミニウム合金 1
- 写真 1
- 原子炉材料 1
- 格子欠陥 1
- 結晶構造 1
- 金属材料 1
- 金属複合材料 1