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北海道大学工学部精密工学科物理工学講座

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42504 コレクションおよび/またはレコード 表示:

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54292. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54292
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7. (Dark, Bright, ED)ED.

(備考)隣のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54293. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7, BF., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54293
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7. (Dark, Bright, ED)BF.

(備考)他のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54294. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54294
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54295. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54295
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7.

(備考)他のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54296. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54296
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54297. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54297
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54298. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54298
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54299. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54299
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54300. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, 52K., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54300
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (条件・倍率等)52K. (ブラック条件からのずれs)s＝0.

(備考)JM(01)　.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54301. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, 52K., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54301
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (条件・倍率等)52K. (ブラック条件からのずれs)s＝0.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54302. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54302
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54303. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54303
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54304. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54304
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54305. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54305
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54306. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54306
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54307. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54307
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54308. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54308
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54309. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54309
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54310. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54310
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)他の視野（同じgrain）.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54311. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54311
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)反対のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54312. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54312
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)反対のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54313. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54313
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)反対のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54314. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54314
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54315. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54315
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)GB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54316. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54316
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54317. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54317
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54318. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54318
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54319. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54319
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54320. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54320
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54321. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54321
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54322. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54322
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54323. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, BF., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54323
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)BF.

(備考)GB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54324. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54324
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54325. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54325
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54326. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54326
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54327. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54327
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54328. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54328
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54329. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54329
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54330. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54330
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54331. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54331
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54332. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54332
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54333. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54333
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54334. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54334
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54335. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54335
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54336. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54336
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54337. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54337
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54338. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54338
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54339. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54339
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54340. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54340
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54341. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54341
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)他のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

追加の絞り込み:

主題
北海道札幌市北区北１４条西９丁目 42464
電子顕微鏡写真 Electron micrographs 42464
電子顕微鏡写真 Electron micrographs::Oシリーズ O series 24471
アメリカ カリフォルニア州 リバモア 23320
電子顕微鏡写真 Electron micrographs::Lシリーズ L series 17993
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1987-1988 昭和62年度 10146
ニッケル 7654
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1986-1987 昭和61年度 7249
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1988-1989 昭和63年度 5427
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1989-1990 平成元年度 5245
銅 4972
金 4713
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1990-1991 平成2年度 4293
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1985-1986 昭和60年度 3965
銅合金 2961
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1992-1993 平成4年度 2937
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1991-1992 平成3年度 2482
ステンレス鋼 2416
ニッケル合金 2218
鉄 1903
銀 1305
鉄合金 970
共同研究実施年度 Year of joint research projects::1984-1985 昭和59年度 768
バナジウム 313
ムライト 246
アメリカ ワシントン州 ハンフォード 242
モリブデン 224
アルミニウム 128
ゲルマニウム 84
炭化珪素 53
資料利用例（論文等掲載元データ登録分） Micrographs published in papers (selelcted) 53
ノート 40
材料試験 40
東北大学金属材料研究所附属材料試験炉利用施設 40
記録ノート Notebooks 40
電子顕微鏡 40
記録ノート Notebooks::Oシリーズ O series 24
記録ノート Notebooks::Lシリーズ L series 16

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