メインコンテンツへスキップ

熊取町 (大阪府 泉南郡)

 主題

関係者用
件名：ソース: Ku Peek

63414 コレクションおよび/またはレコード 表示:

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54299. Ni-2Ge, JMTR　controlled, 290℃, 7., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54299
範囲と内容

(試料)Ni-2Ge. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)7.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54300. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, 52K., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54300
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (EM/D3)D3. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (条件・倍率等)52K. (ブラック条件からのずれs)s＝0.

(備考)JM(01)　.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54301. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, 52K., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54301
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (条件・倍率等)52K. (ブラック条件からのずれs)s＝0.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54302. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54302
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54303. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54303
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54304. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54304
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54305. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54305
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54306. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54306
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54307. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54307
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54308. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54308
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54309. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54309
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54310. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54310
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)他の視野（同じgrain）.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54311. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54311
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)反対のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54312. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54312
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)反対のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54313. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54313
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)反対のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54314. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54314
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54315. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54315
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)GB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54316. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54316
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54317. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54317
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54318. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54318
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54319. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54319
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54320. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54320
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54321. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54321
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54322. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54322
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54323. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, BF., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54323
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)BF.

(備考)GB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54324. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54324
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54325. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54325
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54326. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54326
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54327. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54327
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54328. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54328
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54329. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54329
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54330. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54330
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54331. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54331
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54332. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54332
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54333. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54333
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54334. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54334
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54335. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54335
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED. (反射ベクトルg)200.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54336. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54336
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54337. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54337
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54338. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54338
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54339. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54339
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54340. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4, ED., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54340
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4. (Dark, Bright, ED)ED. (反射ベクトルg)220.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54341. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54341
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)他のGB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54342. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54342
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54343. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54343
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)GB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54344. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54344
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54345. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54345
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)GB.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54346. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54346
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54347. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54347
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)小傾角.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

[ネガフィルム, Oシリーズ] O-54348. Ni-2Si, JMTR　controlled, 290℃, 4., [1988年11月30日以降.]

 アイテム
資料番号: O-54348
範囲と内容

(試料)Ni-2Si. (照射条件)JMTR　controlled. (照射温度)290℃. (照射量)4.

(備考)小傾角.

日付: [1988年11月30日以降.]
見つかった位置: Kyoto University Research Resource Archive / 高エネルギー粒子照射材料透過電子顕微鏡写真, ca.1985-1997. Transmission Electron Microscopy Photographs of Materials irradiated by High-Energy Particle, ca.1985-1997. / 透過電子顕微鏡写真(ネガフィルム). / [写真] Oシリーズ.

Powered by ArchivesSpace v4.1.1 | 研究資源アーカイブホームページ